| Marque | Infineon |
| Produit | BSM10GD120DN2 |
| Description | Transistor |
| Code intérieur | FBR532962 |
| Poids | 1 |
| Spécifications techniques | Configuration : pont complet Maximum. Tension collecteur-émetteur VCEO : 1200 V Tension de saturation collecteur-émetteur : 2,7 V Collecteur DC à 25 °C : 15 A Courant de fuite porte-émetteur : 120 nA Dp - Dissipation de puissance : 80 W Emballage/Housse : EconoPack 2 Température minimale de travail : - 40 °C Température maximale de travail : + 150 °C Emballage : plateau Marque : Infineon Technologies Hauteur : 17 mm Longueur : 107,5 mm Tension maximale de l'émetteur : 20 V Style de montage : montage sur châssis Type de produit : Modules IGBT Sous-catégorie : IGBT Technologie : Oui Largeur : 45,5 mm Numéro d'alias des pièces : SP000100367 BSM10GD120DN2BOSA1 Poids unitaire : 180 g |
Infineon - BSM10GD120DN2 référencéTransistor produit fabriqué par la haute technologie.
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