| Marque | Infineon |
| Produit | BSM15GP120 / BSM15GP120BPSA1 |
| Description | Modules IGBT |
| Code intérieur | FBR216635 |
| Poids | 1 |
| Spécifications techniques | Configuration : onduleur triphasé Tension collecteur-émetteur VCEO Max : 1,2 kV Tension de saturation collecteur-émetteur : 2,2 V Courant de collecteur continu à 25 °C : 35 A Courant de fuite grille-émetteur : 300 nA Pd - Dissipation de puissance : 180 W Température de fonctionnement minimale : - 40 °C Température de fonctionnement maximale : + 150 °C |
Infineon - BSM15GP120 / BSM15GP120BPSA1 référencéModules IGBT produit fabriqué par la haute technologie.
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